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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 0.21 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER BISMUTH COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UNR411D(UN411D) | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR411D|UN411D | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR411DR | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1, |
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| UNR411E | PANASONIC |
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Silicon PNP epitaxial planar type |
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| UNR411E(UN411E) | ETC |
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複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
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| UNR411E|UN411E | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR411ER | PANASONIC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| UNR411F | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type |
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| UNR411F(UN411F) | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR411F|UN411F | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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