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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-59 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UNR221L(UN221L) | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR221M | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planar transistor |
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| UNR221M(UN221M) | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR221N | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planar transistor |
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| UNR221N(UN221N) | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR221T | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planar transistor |
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| UNR221T(UN221T) | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR221V | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planar transistor |
|
| UNR221V(UN221V) | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
|
| UNR221W | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planar type |
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数据手册解读：MB10S引脚说明、电气参数
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