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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> UNR221W
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UNR221W

更新时间： 2024-09-23 21:53:51
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 56K
描述
Silicon NPN epitaxial planar type

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UNR221W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-59
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.82
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

UNR221W 数据手册

 浏览型号UNR221W的Datasheet PDF文件第2页 
Transistors with built-in Resistor  
UNR221W  
Silicon NPN epitaxial planar type  
Unit: mm  
For digital circuits  
+0.10  
–0.05  
0.40  
3
+0.10  
–0.06  
0.16  
■ Features  
• Base-emitter resistance RBE: 100 kΩ,  
• Mini type package, allowing downsizing of the equipment.  
• Allowing automatic insertion through tape packing.  
1
2
(0.95) (0.95)  
1.9 0.1  
+0.20  
2.90  
–0.05  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
10˚  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
50  
50  
V
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
Collector current  
IC  
PT  
Tj  
100  
mA  
mW  
°C  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
200  
EIAJ: SC-59  
Mini3-G1 Package  
150  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
Marking Symbol: 9F  
Internal Connection  
C
E
B
R2  
(100 kΩ)  
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
Conditions  
Min  
50  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Input resistance  
IC = 10 µA, IE = 0  
IC = 2 mA, IB = 0  
50  
V
VCB = 50 V, IE = 0  
VCE = 50 V, IB = 0  
VEB = 6 V, IC = 0  
0.1  
0.5  
100  
µA  
µA  
µA  
VCE = 10 V, IC = 5 mA  
IC = 10 mA, IB = 0.3 mA  
80  
VCE(sat)  
R2  
0.25  
V
−30%  
100  
100  
+30%  
kΩ  
Transition frequency  
fT  
VCB = 10 V, IE = −2 mA, f = 200 MHz  
MHz  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: December 2003  
SJH00011BED  
1
12

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