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UNR2224(UN2224)

更新时间： 2024-09-23 23:39:31
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6页 256K
描述
複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ

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UNR2224(UN2224) 数据手册

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抵抗内蔵トランジスタ  
UNR222xシリーズ (UN222xシリーズ)  
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形  
Unit : mm  
+0.10  
デジタル回路用  
0.40  
–0.05  
+0.10  
0.16  
–0.06  
3
■ 特ꢀ長  
•
機器の小形化, 部品点数の削減によりコストダウン可能  
• ミニ型パッケージのため、テーピング、マガジン包装による  
1
2
自動挿入が可能  
(0.95) (0.95)  
1.9 0.1  
+0.20  
■ 品  
種別抵抗値  
2.90  
–0.05  
形名表示記号 (R1)  
(R2)  
10˚  
• UNR2221 (UN2221)  
• UNR2222 (UN2222)  
• UNR2223 (UN2223)  
• UNR2224 (UN2224)  
9A  
9B  
9C  
9D  
2.2 kΩ  
4.7 kΩ  
10 kΩ  
2.2 kΩ  
2.2 kΩ  
4.7 kΩ  
10 kΩ  
10 kΩ  
1 : Base  
2 : Emitter  
3 : Collector  
EIAJ : SC-59  
Mini3-G1 Package  
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C  
項目  
記号  
定格  
単位  
V
内部接続図  
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) VCBO  
コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) VCEO  
50  
50  
V
R1  
R2  
C
E
B
コレクタ電流  
全許容損失  
IC  
500  
200  
mA  
mW  
PT  
接
合温度  
Tj  
150  
°C  
保存温度  
Tstg  
−55 ∼ +150  
°C  
■ 電気的特性 Ta = 25°C 3°C  
項目  
記号  
VCBO  
VCEO  
ICBO  
ICEO  
条件  
最小 標準 最大  
単位  
V
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)  
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)  
コレクタ・ベース間遮断電流(E開放時)  
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)  
エミッタ・ベース UNR2221  
IC = 10 µA, IE = 0  
IC = 2 mA, IB = 0  
VCB = 50 V, IE = 0  
VCE = 50 V, IB = 0  
VEB = 6 V, IC = 0  
50  
50  
1
V
µA  
µA  
mA  
1
IEBO  
5
間遮断電流  
(C 開放時)  
流電流  
UNR2222  
2
UNR2223/2224  
UNR2221  
1
直
hFE  
VCE = 10 V, IC = 100 mA  
40  
50  
60  
増幅率  
UNR2222  
UNR2223/2224  
コレクタ・エミッタ間飽和電圧  
出力電圧ハイレベル  
VCE(sat) IC = 10 mA, IB =5 mA  
0.25  
0.2  
V
V
V
VOH  
VOL  
VCC = 5 V, VB = 0.5 V, RL = 500 Ω  
4.9  
出力電圧ローレベル  
VCC = 5 V, VB = 3.5 V, RL = 500 Ω  
注) 形名の( )内は, 従来品  
番です  
発行年月 : 2003年12月  
SJH00012CJD  
1
123456

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