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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 210 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UNR1216S | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, M-A1, 3 |
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| UNR1217 | PANASONIC |
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Silicon NPN epitaxial planar type |
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| UNR1217(UN1217) | ETC |
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複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
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| UNR1217|UN1217 | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR1217Q | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, M-A1, 3 |
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| UNR1217R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
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| UNR1217S | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, M-A1, 3 |
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| UNR1218 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planar type |
|
| UNR1218(UN1218) | ETC |
获取价格 |
複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
|
| UNR1218|UN1218 | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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