Datasheet > UNR1116(UN1116)

UNR1116(UN1116)

更新时间： 2024-10-13 23:39:27

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		/
页数	文件大小	规格书
14页	540K
描述
複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UNR1116(UN1116) 数据手册

抵抗内蔵トランジスタ

UNR111xシリーズ (UN111xシリーズ)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形

Unit : mm

2.5 0.1

6.9 0.1

(1.5)

デジタル回路用

(1.0)

■ 特ꢀ長

R 0.9

• 機器の小形化, 部品点数の削減によりコストダウン可能

R 0.7

• M型パッケージで自動挿入, 手挿入が容易, P板に自立固

定

が可能

■ 品

種別抵抗値

(0.85)

0.45 0.05

0.55 0.1

(R₁)

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

47 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

(R₂)



•

UNR1110 (UN1110)

UNR1111 (UN1111)

UNR1112 (UN1112)

UNR1113 (UN1113)

UNR1114 (UN1114)

UNR1115 (UN1115)

UNR1116 (UN1116)

UNR1117 (UN1117)

UNR1118 (UN1118)

UNR1119 (UN1119)

UNR111D (UN111D)

UNR111E (UN111E)

UNR111F (UN111F)

UNR111H (UN111H)

UNR111L (UN111L)

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



(2.5) (2.5)

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

M-A1 Package



内部接続図

5.1 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

R₁

R₂

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

記号

定格

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) V_CBO

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

−50

コレクタ電流

全許容損失

I_C

−100

400

P_T

接

合温度

T_j

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

発行年月 : 2003年10月

SJH00001BJD

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与UNR1116(UN1116)相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNR1116\|UN1116	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR1116Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-71
UNR1116R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-71
UNR1116S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-71
UNR1117	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer transistor
UNR1117(UN1117)	ETC	获取价格	複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ
UNR1117\|UN1117	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR1117Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-71
UNR1117R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-71
UNR1117S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-71