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UNA0230

更新时间： 2024-11-15 21:09:03

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	54K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 10V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, SO-10

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UNA0230 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G10
针数：	10	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	BRIDGE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G10	元件数量：	4
端子数量：	10	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN AND PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

UNA0230 数据手册

Small Signal Transistor Arrays

UNA0230 (UN230)

Transistor array to drive the small motor

Features

Small and lightweight

■

Unit: mm

■

Low power consumption

■

Low-voltage drive

1.5±0.1

5.5±0.3

0.8

■

With 4 elements incorporated

Applications

For motor drives

■

12°

6°

■

Small motor drive circuits in general

12°

45°

Absolute Maximum Ratings (Ta=25±3˚C)

■

6°

0.5±0.2

7.7±0.3

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

±10

SO10-G1 Package

±3

Peak collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I_CP

±4

P_T*

0.5

˚C

Internal Connection

T_j

150

T_stg

–55 to +150

Note: ± marks used above: +: NPN part, –: PNP part

* T_C= 25˚C only when the elements are active

Note.) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.

12 3 4

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