UN5119S

更新时间： 2024-11-18 13:15:11

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
17页	436K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN

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UN5119S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	290	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

UN5119S 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UNR511x Series (UN511x Series)

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

For digital circuits

+0.10

+0.1

0.15

0.3

–0.0

–0.05

■ Features

• Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts

• S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape/

magazine packing

(0.65)

1.3 0.1

2.0 0.2

■ Resistance by Part Number

10˚

Marking symbol (R₁)

(R₂)



•

UNR5110 (UN5110)

UNR5111 (UN5111)

UNR5112 (UN5112)

UNR5113 (UN5113)

UNR5114 (UN5114)

UNR5115 (UN5115)

UNR5116 (UN5116)

UNR5117 (UN5117)

UNR5118 (UN5118)

UNR5119 (UN5119)

UNR511D (UN511D)

UNR511E (UN511E)

UNR511F (UN511F)

UNR511H (UN511H)

UNR511L (UN511L)

UNR511M (UN511M)

UNR511N (UN511N)

UNR511T (UN511T)

UNR511V (UN511V)

UNR511Z (UN511Z)

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

47 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



1: Base

2: Emitter

3: Collector

EIAJ: SC-70

SMini3-G1 Package

Internal Connection



5.1 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

47 kΩ

2.2 kΩ

22 kΩ

R₁

R₂

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

−50

Collector current

I_C

P_T

−100

°C

150

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

T_stg

−55 to +150

°C

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: December 2003

SJH00022BED

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UN5119TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN511D	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer transistor
UN511DH	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN511DQ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-
UN511DR	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-
UN511DS	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-
UN511DTX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN511E	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer transistor
UN511EH	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN511EQ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-

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