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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> UN511F
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UN511F

更新时间： 2024-11-17 22:17:23
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
17页 236K
描述
Silicon PNP epitaxial planer transistor

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UN511F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.84其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 2.13
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：160
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

UN511F 数据手册

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Transistors with built-in Resistor  
UN5111/5112/5113/5114/5115/5116/5117/5118/5119/5110/  
511D/511E/511F/511H/511L/511M/511N/511T/511V/511Z  
Silicon PNP epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
For digital circuits  
2.1±0.1  
0.425  
1
1.25±0.1  
0.425  
Features  
■
●
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and  
reduction of the number of parts.  
S-Mini type package, allowing automatic insertion through tape  
3
●
packing and magazine packing.  
2
Resistance by Part Number  
■
Marking Symbol (R1)  
(R2)  
10kΩ  
22kΩ  
47kΩ  
47kΩ  
—
—
—
5.1kΩ  
10kΩ  
—
10kΩ  
22kΩ  
10kΩ  
10kΩ  
4.7kΩ  
47kΩ  
47kΩ  
47kΩ  
2.2kΩ  
22kΩ  
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
UN5111  
UN5112  
UN5113  
UN5114  
UN5115  
UN5116  
UN5117  
UN5118  
UN5119  
UN5110  
UN511D  
UN511E  
UN511F  
UN511H  
UN511L  
UN511M  
UN511N  
UN511T  
UN511V  
UN511Z  
6A  
6B  
6C  
6D  
6E  
6F  
10kΩ  
22kΩ  
47kΩ  
10kΩ  
10kΩ  
4.7kΩ  
22kΩ  
0.51Ω  
1kΩ  
47kΩ  
47kΩ  
47kΩ  
4.7kΩ  
2.2kΩ  
4.7kΩ  
2.2kΩ  
4.7kΩ  
22kΩ  
2.2kΩ  
4.7kΩ  
0.2±0.1  
1 : Base  
2 : Emitter  
3 : Collector  
EIAJ : SC–70  
S–Mini Type Package  
6H  
6I  
Internal Connection  
6K  
6L  
6M  
6N  
6O  
6P  
6Q  
EI  
EW  
EY  
FC  
FE  
C
E
R1  
B
R2  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Ratings  
–50  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Collector current  
–50  
V
–100  
mA  
mW  
˚C  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PT  
150  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
1
1234567...17

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与UN511F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UN511FH PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN511FQ PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-
UN511FR PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-
UN511FS PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-
UN511FTX PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN511H PANASONIC

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 		Silicon PNP epitaxial planar type
UN511HH PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN511HQ PANASONIC

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 		暂无描述
UN511HR PANASONIC

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 		暂无描述
UN511HS PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-

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