UN112Y

更新时间： 2024-09-17 22:17:23

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管
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6页	87K
描述
Silicon PNP epitaxial planer transistor

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UN112Y 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1.48
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

UN112Y 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UN1121/1122/1123/1124/112X/112Y

Silicon PNP epitaxial planer transistor

For digital circuits

Unit: mm

Features

■

6.9±0.1

2.5±0.1

1.5

●

Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts.

1.5 R0.9

1.0

R0.9

●

M type package allowing easy automatic and manual insertion as

well as stand-alone fixing to the printed circuit board.

R0.7

0.85

Resistance by Part Number

■

0.55±0.1

0.45±0.05

(R₁)

2.2kΩ

4.7kΩ

10kΩ

(R₂)

2.2kΩ

4.7kΩ

10kΩ

5kΩ

●

UN1121

UN1122

UN1123

UN1124

UN112X

UN112Y

2.2kΩ

0.27kΩ

3.1kΩ

2.5

1:Base

2:Collector

3:Emitter

4.6kΩ

M Type Mold Package

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Ratings

–50

Unit

Internal Connection

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

–50

–500

˚C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_T

600

T_j

150

T_stg

–55 to +150

˚C

12 3 4 5 6

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