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UMX2N PDF预览

UMX2N

更新时间： 2024-11-29 22:17:27
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
General purpose (dual transistors)

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UMX2N 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-88
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.36
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e2元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：180 MHz
Base Number Matches：1

UMX2N 数据手册

 浏览型号UMX2N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UMX2N的Datasheet PDF文件第3页 
EMX2 / EMX3 / UMX2N / UMX3N / IMX2 / IMX3  
Transistors  
General purpose (dual transistors)  
EMX2 / EMX3 / UMX2N / UMX3N / IMX2 / IMX3  
!Features  
1) Two 2SC2412AK chips in a EMT or UMT or SMT package.  
!Equivalent circuits  
EMX2 / UMX2N  
IMX2  
EMX3 / UMX3N  
IMX3  
(3)  
(2)  
(1)  
(6)  
(4)  
(5)  
(6)  
(1)  
(3)  
(2)  
(1)  
(4)  
(5)  
(6)  
(4) (5)  
(3) (2)  
(4)  
(5)  
(6)  
(3)  
(2)  
(1)  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
60  
Unit  
V
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
50  
V
7
V
I
C
150  
mA  
∗1  
∗2  
EMX2 / EMX3 / UMX2N / UMX3N  
IMX2 / IMX3  
150(TOTAL)  
300(TOTAL)  
150  
Collector power  
dissipation  
P
C
mW  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55~+150  
∗1 120mW per element must not be exceeded.  
∗2 200mW per element must not be exceeded.  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
60  
50  
7
Typ.  
−
−
Max.  
−
−
Conditions  
Unit  
V
I
I
I
C
=50µA  
=1mA  
V
C
−
−
−
−
V
E
=50µA  
CB=60V  
EB=7V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
0.1  
0.1  
0.4  
560  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
−
120  
−
−
−
180  
2
I
C/I  
B
=50mA/5mA  
h
−
MHz  
pF  
V
V
V
CE=6V, I  
C
=1mA  
=−2mA, f=100MHz  
=0mA, f=1kHz  
Transition frequency  
f
T
CE=12V, I  
CB=12V, I  
E
E
∗
Output capacitance  
Cob  
−
3.5  
∗Transition frequency of the device.  
!Package, marking, and packaging specifications  
Type  
EMX2  
EMT6  
X2  
EMX3  
EMT6  
X3  
UMX2N  
UMT6  
X2  
UMX3N  
UMT6  
X3  
IMX2  
IMX3  
SMT6  
X2  
SMT6  
X3  
Package  
Marking  
Code  
T2R  
T2R  
TR  
TR  
T108  
3000  
T108  
3000  
Basic ordering unit (pieces)  
8000  
8000  
3000  
3000  
123

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UMX2N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
UMX1NTN ROHM

功能相似

 General purpose transistors (dual transistors)
BC847PN-7-F DIODES

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BC847BPDW1T1G ONSEMI

功能相似

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与UMX2N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UMX2NFHATR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor
UMX2NTL ROHM

获取价格

 		暂无描述
UMX2NTN ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,
UMX2NTR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SC-88,
UMX2TL ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MINIMOL
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 		TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO
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 		General purpose (dual transistors)
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 		SOT-363

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