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UMX3NTR PDF预览

UMX3NTR

更新时间： 2024-11-30 12:28:19
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 110K
描述
General purpose (dual transistors)

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UMX3NTR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-88
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：7.1
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：180 MHzVCEsat-Max：0.4 V
Base Number Matches：1

UMX3NTR 数据手册

 浏览型号UMX3NTR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UMX3NTR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UMX3NTR的Datasheet PDF文件第4页 
General purpose (dual transistors)  
EMX3 / UMX3N / IMX3  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
Two 2SC2412AK chips in a EMT or UMT or SMT package.  
EMX3  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
( )  
4
( )  
5
( )  
6
Inner circuits  
1.2  
1.6  
EMX3 / UMX3N  
IMX3  
(3)  
(2)  
(1)  
(4)  
(5)  
(6)  
Tr2  
Tr2  
Tr1  
Tr1  
ROHM  
:
EMT6  
Each lead has same dimensions  
(4)  
(5)  
(6)  
(3)  
(2)  
(1)  
UMX3N  
Package, marking, and packaging specifications  
Type  
Package  
EMX3  
EMT6  
X3  
UMX3N  
UMT6  
X3  
IMX3  
SMT6  
X3  
1.25  
2.1  
Marking  
Code  
T2R  
TR  
T108  
3000  
0.1Min.  
Basic ordering unit (pieces)  
8000  
3000  
ROHM  
:
UMT6  
Each lead has same dimensions  
EIAJ  
: SC-88  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
60  
50  
V
IMX3  
7
V
I
C
150  
mA  
∗1  
∗2  
EEMX3 / UMX3N  
IMX3  
150(TOTAL)  
300(TOTAL)  
150  
Collector power  
dissipation  
P
C
mW  
1.6  
2.8  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
∗1 120mW per element must not be exceeded.  
∗2 200mW per element must not be exceeded.  
0.3Min.  
ROHM  
:
SMT6  
Each lead has same dimensions  
EIAJ  
:
SC-74  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
Min.  
Typ.  
−
−
Max.  
−
−
Conditions  
Unit  
V
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
60  
50  
7
I
I
I
C
=50μA  
=1mA  
V
C
−
−
−
−
V
E
=50μA  
CB=60V  
EB=7V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
0.1  
0.1  
0.4  
560  
−
μA  
μA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
−
120  
−
−
−
180  
2
I
C/I  
B
=50mA/5mA  
h
−
MHz  
V
V
V
CE=6V, I  
C
=1mA  
=−2mA, f=100MHz  
=0mA, f=1MHz  
Transition frequency  
f
T
CE=12V, I  
CB=12V, I  
E
E
∗
Output capacitance  
Cob  
−
3.5  
pF  
∗Transition frequency of the device.  
www.rohm.com  
2011.12 - Rev.B  
1/3  
c
○ 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1234

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UMX3NTR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
EMX1T2R ROHM

类似代替

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, EMT6,
UMX1NTN ROHM

类似代替

 General purpose transistors (dual transistors)
UMZ1NTR ROHM

类似代替

 General purpose transistor (dual transistors)

与UMX3NTR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UMX3TL ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MINIMOL
UMX3TR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MINIMOL
UMX4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 18V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SO
UMX4001A MICROSEMI

获取价格

 		Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
UMX4001B MICROSEMI

获取价格

 		Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
UMX4001C MICROSEMI

获取价格

 		Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-1
UMX4001CR MICROSEMI

获取价格

 		Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-1
UMX4001D MICROSEMI

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 		Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
UMX4001DR MICROSEMI

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 		Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
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 		Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2

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