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UMD9N_10

更新时间： 2024-11-14 06:02:15
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罗姆 - ROHM 晶体数字晶体管驱动
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4页 140K
描述
Digital Transistor (Dual Digital Transistors for Inverter Drive)

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UMD9N_10 数据手册

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Digital Transistor (Dual Digital Transistors for Inverter Drive)  
EMD9 / UMD9N / IMD9A  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a EMT  
or UMT or SMT package.  
EMD9  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
( )  
4
( )  
5
( )  
6
Inner circuit  
1.2  
1.6  
EMD9 / UMD9N  
(3) (2) (1)  
IMD9A  
(4) (5) (6)  
R1  
R2  
R1  
R2  
Each lead has same dimensions  
DTr1  
DTr1  
DTr2  
DTr2  
ROHM : EMT6  
UMD9N  
R2  
R2  
R1  
R1  
Abbreviated symbol : D9  
R
=10k  
Ω
R
R
=10k  
2
1=47k  
Ω
Ω
R
2
1=47k  
Ω
(4) (5) (6)  
(3) (2) (1)  
Package, marking, and packaging specifications  
1.25  
2.1  
Type  
Package  
EMD9  
EMT6  
D9  
UMD9N  
UMT6  
D9  
IMD9A  
SMT6  
D9  
Marking  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
T2R  
TR  
T108  
3000  
8000  
3000  
0.1Min.  
Each lead has same dimensions  
ROHM : UMT6  
EIAJ : SC-88  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Supply voltage  
Symbol  
Limits  
50  
Unit  
V
Abbreviated symbol : D9  
V
CC  
IN  
V
−6 to +40  
70  
V
Input voltage  
IMD9A  
I
O
mA  
mA  
mW  
mW  
°C  
Output current  
Collector current  
I
C (Max.)  
100  
∗
∗
1
2
EMD9, UMD9N  
IMD9A  
150(TOTAL)  
300(TOTAL)  
Power dissipation  
Pd  
Tj  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
1.6  
2.8  
1
2
120mW per element must not be exceeded. PNP type negative symbols have been omitted.  
200mW per element must not be exceeded. PNP type negative symbols have been omitted.  
∗
∗
0.3to0.6  
Each lead has same dimensions  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
Abbreviated symbol : D9  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Conditions  
V
I(off)  
I(on)  
−
1.4  
−
−
−
0.1  
−
−
−
0.3  
−
0.3  
0.88  
0.5  
−
V
CC=5V , I  
=0.3V , I  
=5mA , I =0.25mA  
=5V  
CC=50V , V  
=5mA , V =5V  
O
=100μA  
Input voltage  
V
V
O
O=1mA  
Output voltage  
VO(on)  
V
mA  
mA  
−
I
O
I
I
I
−
−
V
V
I
Input current  
Output current  
I
O(off)  
I=0V  
G
I
68  
−
I
O
O
DC current gain  
Transition frequency  
Input resistance  
∗
f
T
250  
−
MHz  
V
CE=10V , I  
E
= −5mA , f=100MHz  
R1  
7
10  
13  
kW  
−
−
Resistance ratio  
R2/R1  
3.7  
4.7  
5.7  
−
PNP type negative symbols have been omitted.  
Characteristics of built-in transistor.  
∗
www.rohm.com  
2010.01 - Rev.D  
1/3  
c
○ 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1234

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