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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> UMD9NFHATR
UMD9NFHATR PDF预览

UMD9NFHATR

更新时间： 2024-09-26 12:59:03
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体数字晶体管驱动
页数 文件大小 规格书
4页 85K
描述
Small Signal Bipolar Transistor

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UMD9NFHATR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.74其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：68
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e2
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN AND PNP参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

UMD9NFHATR 数据手册

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EMD9 / UMD9N / IMD9A  
Transistors  
Digital Transistor  
(Dual Digital Transistors for Inverter Drive)  
EMD9 / UMD9N / IMD9A  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a EMT  
or UMT or SMT package.  
EMD9  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
( )  
4
( )  
5
( )  
6
1.2  
1.6  
zEquivalent circuit  
EMD9 / UMD9N  
(3) (2) (1)  
IMD9A  
(4) (5) (6)  
Each lead has same dimensions  
R
1
R
2
R
1
R2  
ROHM : EMT6  
UMD9N  
DTr1  
DTr1  
Abbreviated symbol : D9  
DTr2  
DTr2  
R2  
R2  
R1  
R1  
R
=10k  
Ω
Ω
R
R
=10k  
2
1=47k  
Ω
Ω
R
2
1=47k  
(4) (5) (6)  
(3) (2) (1)  
1.25  
2.1  
zPackage, marking, and packaging specifications  
Type  
EMD9  
EMT6  
D9  
UMD9N  
UMT6  
D9  
IMD9A  
SMT6  
D9  
0.1Min.  
Package  
Each lead has same dimensions  
Marking  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
T2R  
TR  
T108  
3000  
ROHM : UMT6  
EIAJ : SC-88  
8000  
3000  
Abbreviated symbol : D9  
IMD9A  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
Supply voltage  
V
CC  
50  
V
IN  
−6 to +40  
70  
V
Input voltage  
I
O
mA  
mA  
mW  
mW  
°C  
Output current  
Collector current  
1.6  
2.8  
I
C (Max.)  
100  
∗
∗
1
2
EMD9, UMD9N  
IMD9A  
150(TOTAL)  
300(TOTAL)  
Power dissipation  
Pd  
Tj  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
0.3to0.6  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
Each lead has same dimensions  
1
2
120mW per element must not be exceeded. PNP type negative symbols have been omitted.  
200mW per element must not be exceeded. PNP type negative symbols have been omitted.  
∗
∗
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
Abbreviated symbol : D9  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Conditions  
V
V
I(off)  
I(on)  
−
1.4  
−
−
−
−
−
0.1  
−
−
−
250  
0.3  
−
0.3  
0.88  
0.5  
−
V
CC=5V , I  
O=100mA  
=0.3V , I =1mA  
Input voltage  
V
O
I
Output voltage  
V
O(on)  
V
mA  
mA  
−
I
O
=5mA , I  
=5V  
CC=50V , V  
=5mA , V =5V  
CE=10V , I  
I
=0.25mA  
I
I
V
V
I
Input current  
Output current  
I
O(off)  
I=0V  
G
I
68  
−
I
O
O
DC current gain  
Transition frequency  
Input resistance  
∗
f
T
−
MHz  
V
E
= −5mA , f=100MHz  
R
1
7
10  
13  
kW  
−
−
Resistance ratio  
R2/R1  
3.7  
4.7  
5.7  
−
PNP type negative symbols have been omitted.  
Characteristics of built-in transistor.  
∗
Rev.A  
1/3  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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