| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-88 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 13 weeks | 风险等级： | 1.76 |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 68 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN AND PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN COPPER | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| EMD4T2R | ROHM |
功能相似  |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UMD5 | ROHM |
获取价格 |
Packaging specifications |
|
| UMD5N | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
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| UMD5N | HTSEMI |
获取价格 |
General pur p ose transistors (dual digital transistors) |
|
| UMD5N | CJ |
获取价格 |
SOT-363 |
|
| UMD5NTR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, |
|
| UMD5V-705 | ETC |
获取价格 |
SC70-5L Four Lines TVS Array for ESD Protection |
|
| UMD6 | ROHM |
获取价格 |
Packaging specifications |
|
| UMD6N | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
|
| UMD6N | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-363 |
|
| UMD6N | SECOS |
获取价格 |
Dual NPN+PNP Digital Transistors |
|
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