是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-XALF-W2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.11 |
其他特性: | LOW DISTORTION | 应用: | ATTENUATOR; SWITCHING |
最小击穿电压: | 600 V | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 最大二极管电容: | 3 pF |
标称二极管电容: | 3 pF | 二极管元件材料: | SILICON |
最大二极管正向电阻: | 0.5 Ω | 二极管电阻测试电流: | 100 mA |
二极管电阻测试频率: | 100 MHz | 二极管类型: | PIN DIODE |
频带: | HIGH FREQUENCY TO S BAND | JESD-30 代码: | O-XALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 少数载流子标称寿命: | 10 µs |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 2.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
反向测试电压: | 100 V | 子类别: | PIN Diodes |
表面贴装: | NO | 技术: | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UM4006BE3 | MICROSEMI |
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Pin Diode, Silicon, | |
UM4006C | MICROSEMI |
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Pin Diode, 600V V(BR), Silicon, | |
UM4006CR | MICROSEMI |
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Pin Diode, 600V V(BR), Silicon, | |
UM4006D | MICROSEMI |
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Pin Diode, 600V V(BR), Silicon, | |
UM4006DR | MICROSEMI |
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Pin Diode, 600V V(BR), Silicon, | |
UM4006E | MICROSEMI |
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Pin Diode, 600V V(BR), Silicon, | |
UM4006EE3 | MICROSEMI |
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Pin Diode, Silicon, | |
UM4006SM | MICROSEMI |
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Pin Diode, 600V V(BR), Silicon, | |
UM401 | ETC |
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Analog IC | |
UM4010 | MICROSEMI |
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HIGH POWER PIN DIODES |