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UK2996G-TF1-T

更新时间： 2024-11-18 07:09:11

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600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET

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UK2996G-TF1-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	252 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UK2996G-TF1-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UK2996

MOSFET

600V SILICON N-CHANNEL

POWER MOSFET

TO-220

DESCRIPTION

The UK2996 is an N-channel enhancement mode field-effect power

transistor. Intended for use in high voltage, high speed switching

applications in power supplies, DC-DC converter, relay drive and PWM

motor drive controls.

TO-220F

FEATURES

* Fast Switching Times

* Improved Inductive Ruggedness

* High Forward Transfer Admittance

* Low on Resistance

* Low Leakage Current

* Lower Input Capacitance

TO-220F1

TO-220F2

SYMBOL

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

UK2996L-TA3-T

UK2996L-TF1-T

UK2996L-TF2-T

UK2996L-TF3-T

UK2996G-TA3-T

UK2996G-TF1-T

UK2996G-TF2-T

UK2996G-TF3-T

TO-220

TO-220F1

TO-220F2

TO-220F

Tube

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source

www.unisonic.com.tw

1 of 6

QW-R502-063.C

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UK2996G-TF2-T	UTC	获取价格	600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET
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UK2996L-TA3-T	UTC	获取价格	600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET
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UK2996-TA3-T	UTC	获取价格	600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET
UK2996-TF3-T	UTC	获取价格	600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET
UK30033	ETC	获取价格	BATTERIE NICKEL METALLHYDRID ZELLE 0.8AF
UK30034	ETC	获取价格	BATTERIE NICKEL METALLHYDRID ZELLE 0.8AA