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UK2996G-TF3-T

更新时间: 2024-11-21 07:09:11
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6页 266K
描述
600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET

UK2996G-TF3-T 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-220AB包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.68雪崩能效等级(Eas):252 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (ID):10 A
最大漏源导通电阻:1 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):30 A表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

UK2996G-TF3-T 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
UK2996  
MOSFET  
600V SILICON N-CHANNEL  
POWER MOSFET  
1
TO-220  
„
DESCRIPTION  
The UK2996 is an N-channel enhancement mode field-effect power  
transistor. Intended for use in high voltage, high speed switching  
applications in power supplies, DC-DC converter, relay drive and PWM  
motor drive controls.  
1
TO-220F  
„ FEATURES  
* Fast Switching Times  
* Improved Inductive Ruggedness  
* High Forward Transfer Admittance  
* Low on Resistance  
* Low Leakage Current  
* Lower Input Capacitance  
1
TO-220F1  
TO-220F2  
„
SYMBOL  
1
„
ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Pin Assignment  
Package  
Packing  
Lead Free  
Halogen Free  
1
2
D
D
D
D
3
S
S
S
S
UK2996L-TA3-T  
UK2996L-TF1-T  
UK2996L-TF2-T  
UK2996L-TF3-T  
UK2996G-TA3-T  
UK2996G-TF1-T  
UK2996G-TF2-T  
UK2996G-TF3-T  
TO-220  
TO-220F1  
TO-220F2  
TO-220F  
G
G
G
G
Tube  
Tube  
Tube  
Tube  
Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source  
www.unisonic.com.tw  
1 of 6  
Copyright © 2011 Unisonic Technologies Co., Ltd  
QW-R502-063.C  

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