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UF830L-TQ2-T

更新时间： 2024-01-31 02:49:18

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9页	321K
描述
N-CHANNEL MOSFET ARRAY FOR SWITCHING

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UF830L-TQ2-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.59	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UF830L-TQ2-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UF830

Power MOSFET

4.5A, 500V, 1.5Ω, N-CHANNEL

POWER MOSFET



DESCRIPTION

The N-Channel enhancement mode silicon gate power

MOSFET is designed for high voltage, high speed power

switching applications such as switching regulators, switching

converters, solenoid, motor drivers, relay drivers.



FEATURES

* R_DS(ON)<1.5Ω @ V_GS=10V

* Single Pulse Avalanche Energy Rated

* Rugged- SOA is Power Dissipation Limited

* Fast Switching Speeds

* Linear Transfer Characteristics

* High Input Impedance



SYMBOL



ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

UF830L-TA3-T

UF830L-TF3-T

UF830L-TF1-T

UF830L-TF2-T

UF830L-TM3-T

UF830L-TMS-T

UF830L-TN3-R

UF830L-T2Q-T

UF830L-TQ2-R

UF830L-TQ2-T

UF830G-TA3-T

UF830G-TF3-T

UF830G-TF1-T

UF830G-TF2-T

UF830G-TM3-T

UF830G-TMS-T

UF830G-TN3-R

UF830G-T2Q-T

UF830G-TQ2-R

UF830G-TQ2-T

TO-220

TO-220F

TO-220F1

TO-220F2

TO-251

Tube

TO-251S

TO-252

Tube

Tape Reel

Tube

TO-262

TO-263

Tape Reel

Tube

TO-263

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source

www.unisonic.com.tw

1 of 9

QW-R502-046.I

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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UF830ZG-TF3-T	UTC	获取价格	4.5A, 500V, 1.5Ω, N-CHANNEL POWER MOSFET
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