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UF840L-TQ2-R

更新时间： 2024-01-05 23:05:03

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描述
8A, 500V, 0.85Ω, N-CHANNEL POWER MOSFET

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UF840L-TQ2-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	510 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.85 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UF840L-TQ2-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UF840

Power MOSFET

8A, 500V, 0.85Ω, N-CHANNEL

POWER MOSFET

DESCRIPTION

The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET

is designed for high voltage, high speed power switching

applications such as switching regulators, switching converters,

solenoid, motor drivers, relay drivers.

FEATURES

* Low R_DS(ON)=0.85Ω

* Single Pulse Avalanche Energy Rated

* Rugged - SOA is Power Dissipation Limited

* Fast Switching Speeds

* Linear Transfer Characteristics

* High Input Impedance

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

UF840L-TA3-T

UF840L-TF1-T

UF840L-TF2-T

UF840L-TF3-T

UF840L-TQ2-R

UF840L-TQ2-T

UF840G-TA3-T

UF840G-TF1-T

UF840G-TF2-T

UF840G-TF3-T

UF840G-TQ2-R

UF840G-TQ2-T

TO-220

TO-220F1

TO-220F2

TO-220F

TO-263

Tube

Tape Reel

Tube

TO-263

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source

www.unisonic.com.tw

1 of 8

QW-R502-047,F

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