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UC1725N

更新时间： 2024-09-26 13:15:07

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		驱动器
页数	文件大小	规格书
5页	296K
描述
2A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDIP8, PLASTIC, DIP-8

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UC1725N 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	高边驱动器：	YES
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
长度：	9.78 mm	功能数量：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	标称输出峰值电流：	2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.33 mm
最大供电电压：	15 V	最小供电电压：
标称供电电压：	8 V	表面贴装：	NO
温度等级：	MILITARY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
断开时间：	0.3 µs	接通时间：	0.3 µs
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

UC1725N 数据手册

UC1725

UC2725

UC3725

Isolated High Side FET Driver

FEATURES

DESCRIPTION

•

Receives Both Power and Signal Across The UC1725 and its companion chip, the UC1724, provide all the nec-

the Isolation Boundary

essary features to drive an isolated MOSFET transistor from a TTL in-

put signal. A unique modulation scheme is used to transmit both power

and signals across an isolation boundary with a minimum of external

components.

•

9 to 15 Volt High Level Gate Drive

Under-voltage Lockout

Protection circuitry, including under-voltage lockout, over-current shut-

down, and gate voltage clamping provide fault protection for the MOS-

FET. High level gate drive is guaranteed to be greater than 9 volts and

less than 15 volts under all conditions.

Programmable Over-current Shutdown

and Restart

•

Output Enable Function

Uses include isolated off-line full bridge and half bridge drives for driv-

ing motors, switches, and any other load requiring full electrical isola-

tion.

The UC1725 is characterized for operation over the full military tem-

perature range of -55°C to +125°C while the UC2725 and UC3725 are

characterized for -25°C to +85°C and 0°C to +70°C respectively.

BLOCK DIAGRAM

UDG-92051-1

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