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U635H256DC45G1

更新时间： 2024-01-15 06:58:57

品牌	Logo	应用领域
SIMTEK		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	208K
描述
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, DIP-28

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U635H256DC45G1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.3	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.34
最长访问时间：	45 ns	备用内存宽度：	1
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	JESD-609代码：	e3
长度：	34.7 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.1 mm
最大待机电流：	0.003 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.065 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm

U635H256DC45G1 数据手册

U635H256

Write Cycle #1: W-controlled^j

t_cW

(12)

Address Valid

(17)

t_h(A

t_su(E)

(21)

)

t_su(A-WH)

(16)

(13)

t_w(W)

t_su(A)

(15)

t_su(D)

t_h(D)

(20)

(19)

DQi

Input

Input Data Valid

t_en(W)

(23)

_dis(W)(22)

DQi

High Impedance

Previous Data

Output

Write Cycle #2: E-controlled^j

t_cW

(12)

Address Valid

(18)

_su(A)(15)

t_w(E)

t_h(A)

(21)

t_su(W)

(14)

t_h(D)

(20)

_su(D)(19)

Input Data Valid

High Impedance

DQi

Input

DQi

Output

undefined

L- to H-level

H- to L-level

i: If W is low and when E goes low, the outputs remain in the high impedance state.

j: E or W must be V_IHduring address transition.

April 7, 2005

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
U635H256DK25	CYPRESS	32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	获取价格
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