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U634H256BSC35G1 PDF预览

U634H256BSC35G1

更新时间： 2024-02-14 22:31:30
品牌 Logo 应用领域
SIMTEK 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 241K
描述
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, SOP-32

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U634H256BSC35G1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.61
最长访问时间：35 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e3长度：20.725 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：1
端子数量：32字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32KX8输出特性：3-STATE
可输出：YES封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.54 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：7.51 mm

U634H256BSC35G1 数据手册

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U634H256  
NONVOLATILE MEMORY OPERATIONS  
MODE SELECTION  
A13 - A0  
(hex)  
E
W
HSB  
Mode  
I/O  
Power  
Notes  
H
L
L
L
X
H
L
H
H
H
H
X
X
X
Not Selected  
Read SRAM  
Write SRAM  
Output High Z  
Output Data  
Input Data  
Standby  
Active  
Active  
Active  
l
H
0E38  
31C7  
03E0  
3C1F  
303F  
0FC0  
Read SRAM  
Read SRAM  
Read SRAM  
Read SRAM  
Read SRAM  
Output Data  
Output Data  
Output Data  
Output Data  
Output Data  
Output High Z  
k, l  
k, l  
k, l  
k, l  
k, l  
k
Nonvolatile STORE  
L
H
X
H
L
0E38  
31C7  
03E0  
3C1F  
303F  
0C63  
Read SRAM  
Read SRAM  
Read SRAM  
Read SRAM  
Read SRAM  
Output Data  
Output Data  
Output Data  
Output Data  
Output Data  
Output High Z  
Active  
k, l  
k, l  
k, l  
k, l  
k, l  
k
Nonvolatile RECALL  
X
X
STORE/Inhibit  
Output High Z  
I
CC2/Standby  
m
k: The six consecutive addresses must be in order listed (0E38, 31C7, 03E0, 3C1F, 303F, 0FC0) for a Store cycle or (0E38, 31C7, 03E0, 3C1F,  
303F, 0C63) for a RECALL cycle. W must be high during all six consecutive cycles. See STORE cycle and RECALL cycle tables and dia-  
grams for further details.  
The following six-address sequence is used for testing purposes and should not be used: 0E38, 31C7, 03E0, 3C1F, 303F, 339C.  
l: I/O state assumes that G ≤ VIL. Activation of nonvolatile cycles does not depend on the state of G.  
m: HSB initiated STORE operation actually occurs only if a WRITE has been done since last STORE operation. After the STORE (if any)  
completes, the part will go into standby mode inhibiting all operation until HSB rises.  
Symbol  
PowerStore Power Up RECALL/  
No.  
Conditions  
Min. Max. Unit  
Hardware Controlled STORE  
Alt.  
IEC  
24 Power Up RECALL Durationn, e  
25 STORE Cycle Duration  
26 HSB Low to Inhibit One  
27 HSB High to Inhibit Offe  
28 External STORE Pulse Widthe  
HSB Output Low Currente,o  
HSB Output High Currente, o  
Low Voltage Trigger Level  
tRESTORE  
tHLQX  
650  
10  
µs  
ms  
µs  
ns  
>
td(H)S  
tdis(H)S  
ten(H)S  
tw(H)S  
VCC 4.5 V  
tHLQZ  
1
tHHQX  
700  
tHLHX  
20  
3
ns  
IHSBOL  
IHSBOH  
VSWITCH  
HSB = VOL  
HSB = VIL  
mA  
µA  
V
5
60  
4.0  
4.5  
n:  
tRESTORE starts from the time VCC rises above VSWITCH.  
o: HSB is an I/O that has a week internal pullup; it is basically an open drain output. It is meant to allow up to 32 U634H256 to be ganged  
together for simultaneous storing. Do not use HSB to pullup any external circuitry other than other U634H256 HSB pins.  
187  
December 12, 1997  
1...45678910...14

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
U634H256BSC45 SIMTEK Non-Volatile SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, SOP-32

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