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U634H256CSA35

更新时间： 2024-01-23 00:32:53
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 155K
描述
32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDSO32, 0.300 INCH, SOP-32

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U634H256CSA35 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP32,.4针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.4
Is Samacsys：N最长访问时间：35 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e0
长度：20.725 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：32字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP32,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.54 mm最大待机电流：0.004 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：7.51 mm
Base Number Matches：1

U634H256CSA35 数据手册

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U634H256xSA  
Automotive PowerStore 32K x 8 nvSRAM  
Features  
Description  
F High-performance CMOS non-  
The U634H256xSA has two sepa- high performance and ease of use  
volatile static RAM 32768 x 8 bits rate modes of operation: SRAM of a fast SRAM with nonvolatile  
F 35 ns Access Time mode and nonvolatile mode. In data integrity.  
F 15 ns Output Enable Access Time SRAM mode, the memory operates STORE cycles also may be initia-  
F ICC = 15 mA at 200 ns Cycle Time as an ordinary static RAM. In non- ted under user control via a soft-  
F Automatic STORE to EEPROM  
on Power Down using external  
capacitor  
F Hardware or Software initiated  
STORE  
volatile operation, data is transfer- ware sequence or via a single pin  
red in parallel from SRAM to (HSB).  
EEPROM or from EEPROM to Once a STORE cycle is initiated,  
SRAM. In this mode SRAM further input or output are disabled  
functions are disabled.  
until the cycle is completed.  
(STORE Cycle Time < 10 ms)  
F Automatic STORE Timing  
F 105 STORE cycles to EEPROM  
F 10 years data retention in  
EEPROM  
The U634H256xSA is a fast static Because a sequence of addresses  
RAM (35 ns), with a nonvolatile is used for STORE initiation, it is  
electrically  
erasable  
PROM important that no other read or  
(EEPROM) element incorporated write accesses intervene in the  
in each static memory cell. The sequence or the sequence will be  
F Automatic RECALL on Power Up SRAM can be read and written an aborted.  
F Software RECALL Initiation  
(RECALL Cycle Time < 20 µs)  
F Unlimited RECALL cycles from  
EEPROM  
F Single 5 V ± 10 % Operation  
F Operating temperature ranges:  
--40 to 125 °C  
unlimited number of times, while RECALL cycles may also be initia-  
independent nonvolatile data resi- ted by a software sequence.  
des in EEPROM. Data transfers Internally, RECALL is a two step  
from the SRAM to the EEPROM procedure. First, the SRAM data is  
(the STORE operation) take place cleared and second, the nonvola-  
automatically upon power down tile information is transferred into  
using charge stored in an external the SRAM cells.  
F CECC 90000 Quality Standard  
F ESD characterization according  
MIL STD 883C M3015.7-HBM  
(classification see IC Code  
Numbers)  
100 µF capacitor.  
The RECALL operation in no way  
Transfers from the EEPROM to the alters the data in the EEPROM  
SRAM (the RECALL operation) cells. The nonvolatile data can be  
take place automatically on power recalled an unlimited number of  
up.  
times.  
F Package: SOP32 (300 mil)  
The U634H256xSA combines the  
Pin Description  
Pin Configuration  
VCAP  
A14  
A12  
A7  
1
2
3
4
5
6
7
8
VCCX  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
HSB  
W
Signal Name Signal Description  
A0 - A14  
Address Inputs  
Data In/Out  
A13  
A8  
A6  
DQ0 - DQ7  
A5  
A9  
Chip Enable  
E
A4  
A11  
Output Enable  
Write Enable  
A3  
G
G
SOP  
n.c.  
A2  
9
n.c.  
A10  
E
W
10  
11  
12  
13  
14  
VCCX  
VSS  
VCAP  
Power Supply Voltage  
Ground  
A1  
A0  
DQ7  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
VSS  
DQ6  
DQ5  
Capacitor  
Hardware Controlled Store/Busy  
HSB  
15  
16  
DQ4  
DQ3  
Top View  
1
April 22, 2002  
1234567...14

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与U634H256CSA35相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
U634H256CSA35G1 CYPRESS 32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDSO32, 0.300 INCH, SOP-32

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U634H256CSC25 SIMTEK 32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, PDSO32, 0.300 INCH, SOP-32

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