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U631H16DC25G1

更新时间： 2024-11-09 20:09:15
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 208K
描述
2KX8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, PDIP28, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-28

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U631H16DC25G1 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP28,.3针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.43
Is Samacsys：N最长访问时间：25 ns
JESD-30 代码：R-PDIP-T28JESD-609代码：e3
长度：34.7 mm内存密度：16384 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：2048 words字数代码：2000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.1 mm
最大待机电流：0.001 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.09 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

U631H16DC25G1 数据手册

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U631H16  
SoftStore 2K x 8 nvSRAM  
Features  
tion), or from the EEPROM to the  
SRAM (the RECALL ) operation)  
are initiated through software  
sequences.  
! Packages: PDIP28 (300 mil)  
PDIP28 (600 mil)  
! High-performance CMOS nonvola-  
tile static RAM 2048 x 8 bits  
! 25, 35 and 45 ns Access Times  
! 12, 20 and 25 ns Output Enable  
Access Times  
SOP28 (300 mil)  
SOP24 (300 mil)  
The U631H16 combines the high  
performance and ease of use of a  
fast SRAM with nonvolatile data  
integrity.  
Description  
! Software STORE Initiation  
(STORE Cycle Time < 10 ms)  
! Automatic STORE Timing  
! 105 STORE cycles to EEPROM  
! 10 years data retention in  
EEPROM  
The U631H16 has two separate  
modes of operation: SRAM mode  
and nonvolatile mode. In SRAM  
mode, the memory operates as an  
ordinary static RAM. In nonvolatile  
operation, data is transferred in  
parallel from SRAM to EEPROM or  
from EEPROM to SRAM. In this  
mode SRAM functions are disab-  
led.  
Once a STORE cycle is initiated,  
further input or output are disabled  
until the cycle is completed.  
Because a sequence of addresses  
is used for STORE initiation, it is  
important that no other read or  
write accesses intervene in the  
sequence or the sequence will be  
aborted.  
! Automatic RECALL on Power Up  
! Software RECALL Initiation  
(RECALL Cycle Time < 20 µs)  
! Unlimited RECALL cycles from  
EEPROM  
! Unlimited Read and Write to  
SRAM  
Internally, RECALL is a two step  
procedure. First, the SRAM data is  
The U631H16 is a fast static RAM  
(25, 35, 45 ns), with a nonvolatile  
! Single 5 V ± 10 % Operation  
! Operating temperature ranges:  
0 to 70 °C  
cleared and second, the nonvola-  
tile information is transferred into  
the SRAM cells.  
electrically  
erasable  
PROM  
(EEPROM) element incorporated  
in each static memory cell. The  
SRAM can be read and written an  
unlimited number of times, while  
independent nonvolatile data resi-  
des in EEPROM.  
-40 to 85 °C  
The RECALL operation in no way  
alters the data in the EEPROM  
cells. The nonvolatile data can be  
recalled an unlimited number of  
times.  
! QS 9000 Quality Standard  
! ESD characterization according  
! MIL STD 883C M3015.7-HBM  
(classification see IC Code  
Numbers)  
Data transfers from the SRAM to  
the EEPROM (the STORE opera-  
Pin Description  
Pin Configuration  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
1
2
3
4
5
6
7
8
n.c.  
n.c.  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
VCC  
W
n.c.  
A8  
A9  
n.c.  
G
1
2
3
4
5
6
7
8
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
VSS  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
VCC  
A8  
A9  
W
G
Signal Name Signal Description  
A0 - A10  
DQ0 - DQ7  
Address Inputs  
Data In/Out  
PDIP  
SOP  
28  
A10  
E
SOP  
24  
Chip Enable  
E
A10  
E
Output Enable  
Write Enable  
Power Supply Voltage  
Ground  
G
W
VCC  
VSS  
9
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
9
10  
11  
12  
13  
14  
A0  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
10  
11  
12  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
VSS  
17  
16  
15  
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1
April 20, 2004  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
U631H16DC35 ETC

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 		SOFTSTORE 2K X 8 NVSRAM
U631H16DC45 CYPRESS

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 		2KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
U631H16DC45G1 SIMTEK

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 		Non-Volatile SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-28
U631H16DC45G1 CYPRESS

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U631H16DK25 CYPRESS

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