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U308-10

更新时间： 2024-10-02 21:02:15

品牌	Logo	应用领域
CALOGIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-52, HERMETIC SEALED PACKAGE- 3

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U308-10 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-52
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.90.00.00	风险等级：	5.72
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-52	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	10 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

U308-10 数据手册

N-Channel JFET

High Frequency Amplifier

CORPORATION

U308 – U310

FEATURES

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(T_A= 25^oC unless otherwise specified)

High Power Gain

Low Noise

Dynamic Range Greater The 100dB

Easily Matched to 75Ω Input

•

Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -25V

Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA

Storage Temperature. . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65^oC to +200^oC

Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . -55^oC to +150^oC

Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . +300^oC

Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Derate above 25^oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4mW/^oC

•

PIN CONFIGURATION

NOTE: Stresses above those listed under "Absolute Maximum

Ratings" may cause permanent damage to the device. These are

stress ratings only and functional operation of the device at these or

any other conditions above those indicated in the operational sections

of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum

rating conditions for extended periods may affect device reliability.

(TO-52)

ORDERING INFORMATION

Part

Package

Temperature Range

U308-10

Hermetic TO-52

-55^oC to +150^oC

XU308-10 Sorted Chips in Carriers

-55^oC to +150^oC

G, C

5021

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25^oC unless otherwise specified)

U308

U309

U310

SYMBOL

PARAMETER

UNITS

TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN TYP MAX

_GS= -15V

-150

I_GSS

Gate Reverse Current

V_GS= 0

T_A= 125^oC

BV_GSS

V_GS(off)

I_DSS

Gate-Source Breakdown Voltage

Gate-Source Cutoff Voltage

I_G= -1µA, V_DS= 0

V_DS= 10V, I_D= 1nA

V_DS= 10V, V_GS= 0

I_G= 10mA, V_DS= 0

-25

-1.0

-25

-6.0 -1.0

-25

-4.0 -2.5

-6.0

Saturation Drain Current (Note 1)

Gate-Source Forward Voltage

V_GS(f)

1.0

Common-Gate Forward

Transconductance (Note 1)

g_fg

_DS= 10V,

f = 1kHz

I_D= 10mA

g_ogs

C_gd

C_gs

Common Gate Output Conductance

Drain-Gate Capacitance

250

2.5

5.0

250

2.5

5.0

250

2.5

5.0

µS

V_GS= -10V, f = 1MHz

V_DS= 10V

(Note 2)

Gate-Source Capacitance

√Hz

Equivalent Short Circuit

Input Noise Voltage

V_DS= 10V,

_D= 10mA

f = 100Hz

(Note 2)

e_n

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