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U309-10 PDF预览

U309-10

更新时间： 2024-02-20 11:28:07
品牌 Logo 应用领域
CALOGIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-52, HERMETIC SEALED PACKAGE- 3

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U309-10 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-52
包装说明：HERMETIC SEALED PACKAGE- 3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.90.00.00风险等级：5.7
其他特性：LOW NOISE配置：SINGLE
FET 技术：JUNCTION最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-52JESD-30 代码：O-MBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：N-CHANNEL最小功率增益 (Gp)：10 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

U309-10 数据手册

 浏览型号U309-10的Datasheet PDF文件第2页 
N-Channel JFET  
High Frequency Amplifier  
LLC  
U308 – U310  
FEATURES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(TA = 25oC unless otherwise specified)  
High Power Gain  
Low Noise  
Dynamic Range Greater The 100dB  
Easily Matched to 75Ω Input  
•
Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -25V  
Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA  
Storage Temperature. . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65oC to +200oC  
Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . -55oC to +150oC  
Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . +300oC  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW  
Derate above 25oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4mW/oC  
•
•
•
PIN CONFIGURATION  
NOTE: Stresses above those listed under "Absolute Maximum  
Ratings" may cause permanent damage to the device. These are  
stress ratings only and functional operation of the device at these or  
any other conditions above those indicated in the operational sections  
of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum  
rating conditions for extended periods may affect device reliability.  
(TO-52)  
ORDERING INFORMATION  
Part  
Package  
Temperature Range  
U308-10  
Hermetic TO-52  
-55oC to +150oC  
XU308-10 Sorted Chips in Carriers  
-55oC to +150oC  
G, C  
S
D
5021  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25oC unless otherwise specified)  
U308  
U309  
U310  
SYMBOL  
PARAMETER  
UNITS  
TEST CONDITIONS  
MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN TYP MAX  
V
GS = -15V  
-150  
-150  
-150  
-150  
-150  
-150  
pA  
nA  
IGSS  
Gate Reverse Current  
VGS = 0  
TA = 125oC  
BVGSS  
VGS(off)  
IDSS  
Gate-Source Breakdown Voltage  
Gate-Source Cutoff Voltage  
IG = -1µA, VDS = 0  
VDS = 10V, ID = 1nA  
VDS = 10V, VGS = 0  
IG = 10mA, VDS = 0  
-25  
-1.0  
12  
-25  
-6.0 -1.0  
-25  
-4.0 -2.5  
V
-6.0  
60  
Saturation Drain Current (Note 1)  
Gate-Source Forward Voltage  
60  
12  
30  
24  
mA  
V
VGS(f)  
1.0  
1.0  
1.0  
Common-Gate Forward  
Transconductance (Note 1)  
gfg  
10  
17  
10  
10  
17  
10  
10  
17  
10  
mS  
V
DS = 10V,  
f = 1kHz  
ID = 10mA  
gogs  
Cgd  
Cgs  
Common Gate Output Conductance  
Drain-Gate Capacitance  
250  
2.5  
5.0  
250  
2.5  
5.0  
250  
2.5  
5.0  
µS  
VGS = -10V, f = 1MHz  
pF  
VDS = 10V  
(Note 2)  
Gate-Source Capacitance  
nV  
√Hz  
Equivalent Short Circuit  
Input Noise Voltage  
VDS = 10V,  
D = 10mA  
f = 100Hz  
(Note 2)  
en  
I
CALOGIC LLC, 237 WHITNEY PLACE, FREMONT, CA 94539, 510-656-2900 PHONE, 510-651-1076 FAX  
DS075 REV A  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
U309E VISHAY

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 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
U309-TO-18-3L-ROHS Linear

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U30BCT VISHAY

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