TZX3V0C

更新时间： 2024-10-31 22:12:47

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美台 - DIODES		稳压二极管齐纳二极管测试局域网
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4页	70K
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500mW EPITAXIAL PLANAR ZENER DIODE

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TZX3V0C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-35	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.81	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	100 Ω
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	3 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	3.23%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

TZX3V0C 数据手册

TZX2V4 - TZX36C

500mW EPITAXIAL PLANAR ZENER DIODE

Features

Planar Die Construction

500mW Power Dissipation on FR-4 PCB

General Purpose, Medium Current

Mechanical Data

Case: DO-35, Glass

DO-35

Min

25.40

Leads: Solderable per MIL-STD-202,

Dim

Max

Method 208

Marking: Type Number

Polarity: Cathode Band

Weight: 0.35 grams (approx.)

4.00

0.60

2.00

All Dimensions in mm

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Zener Current (See Table on page 2)

Forward Voltage

@ I_F= 200mA

V_F

1.5

P_d

Power Dissipation (Note 1)

500

K/W

°C

R_qJA

T_j,T_STG

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

300

-65 to +175

Notes:

1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature.

2. Tested with pulses, t £ 1.0ms.

DS30089 Rev. 1P-5

1 of 4

TZX2V4 - TZX36C

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