TZM5228B

更新时间： 2024-11-02 22:06:59

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威世 - VISHAY		二极管齐纳二极管测试
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4页	62K
描述
Silicon Z-Diodes

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TZM5228B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-213AA
包装说明：	MINIMELF-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.24
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-213AA
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	3.9 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	TIN SILVER
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	20 mA	Base Number Matches：	1

TZM5228B 数据手册

TZM5221B...TZM5267B

Vishay Telefunken

Silicon Z–Diodes

Features

Very sharp reverse characteristic

Very high stability

Electrical data identical with the devices

1N5221B...1N5267B

Low reverse current level

V –tolerance ± 5%

94 9371

Applications

Voltage stabilization

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Z–current

Junction temperature

Storage temperature range

Test Conditions

<300K/W, T =25 C

Type

Symbol

Value

500

Unit

thJA

amb

P /V

175

–65...+175

stg

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Symbol

thJA

Value

500

Unit

K/W

Junction ambient on PC board 50mmx50mmx1.6mm

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =200mA

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

1.1

Document Number 85609

Rev. 2, 01-Apr-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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