是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-LALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.64 | Is Samacsys: | N |
最小击穿电压: | 11.1 V | 击穿电压标称值: | 11 V |
外壳连接: | ISOLATED | 最大钳位电压: | 16.5 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 500 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 5 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 10 V |
最大反向电流: | 5 µA | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | NO | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TVS510E3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERM | |
TVS510HR | DIGITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode | |
TVS510SM | MICROSEMI |
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Transient Voltage Suppressor | |
TVS512 | MICROSEMI |
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TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESORS | |
TVS512 | NJSEMI |
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Diode TVS Single 12V 500W 2-Pin Case B-(WT) | |
TVS512E3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERM | |
TVS512HR | DIGITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode | |
TVS512SM | MICROSEMI |
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Transient Voltage Suppressor | |
TVS512SME3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, MELF | |
TVS515 | MICROSEMI |
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TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESORS |