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TVS512E3

更新时间: 2024-09-25 20:49:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
7页 246K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, MINIATURE, GLASS PACKAGE-2

TVS512E3 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.76
其他特性:HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED最小击穿电压:13.8 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W最大重复峰值反向电压:12 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

TVS512E3 数据手册

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