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TVP06B601CA-G

更新时间： 2024-10-29 20:38:35
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 116K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 513V V(RWM), Bidirectional,

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TVP06B601CA-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMB, 2 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.79其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压：630 V最小击穿电压：570 V
击穿电压标称值：600 V最大钳位电压：828 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2最大非重复峰值反向功率耗散：600 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：5 W
最大重复峰值反向电压：513 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

TVP06B601CA-G 数据手册

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SMD Transient Voltage Suppressor  
TVP06B6V8-G Thru. TVP06B601-G  
Breakdown Voltage: 6.8 to 600 Volts  
Power Dissipation: 600 Watts  
RoHS Device  
Features  
- Glass passivated chip.  
SMB/DO-214AA  
- 600W peak pulse power capability with a 10/1000µs  
waveform, repetitive rate (duty cycle):0.01%  
- Low leakage.  
0.155(3.94)  
0.130(3.30)  
0.087(2.20)  
0.077(1.96)  
- Uni and Bidirectional unit.  
- Excellent clamping capability.  
- Very fast response time.  
0.191(4.85)  
0.171(4.35)  
R
- UL recognized file # E349157  
- Range: TVP06B6V8(C)A thru. TVP06B510(C)A  
0.012(0.30)  
0.006(0.15)  
Mechanical Data  
0.096(2.44)  
0.084(2.13)  
-Case: Molded plastic, JEDEC SMB/DO-214AA  
-Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant.  
0.008(0.20)  
0.001(0.02)  
0.060(1.52)  
0.030(0.75)  
0.216(5.50)  
0.201(5.10)  
-Lead: solderable per MIL-STD-750,  
method 2026  
-Polarity: Color band denotes cathode end  
except Bipolar.  
-Weight: 0.108 gram (approx.)  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
Peak power dissipation with a 10/1000μs  
waveform (Note 1 )  
PPP  
600  
W
Peak pulse current with a 10/1000μs  
waveform (Note 1)  
IPP  
PD  
See Next Table  
A
W
A
Power dissipation on infinite heatsink  
at TL=75°C  
5.0  
100  
Peak forward surge current, 8.3ms single half  
sine-wave uni-directional only (Note 2)  
IFSM  
VF  
Maximum instantaneous forward voltage at  
25.0A for uni-directional only (Note 3)  
3.5/5.0  
V
Operation junction temperature  
TJ  
-55 to +150  
-55 to +150  
°C  
°C  
Storage temperature range  
Note:  
TSTG  
1. Non-repetitive current pulse, per Fig.5 and derated above TA=25°C per Fig.1  
2. Measured on 8.3 ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulse per minute maximum.  
3. VF<3.5V for devices of VBR <200V and VF <5.0V for devices of VBR >201V.  
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.  
REV:C  
Page 1  
QW-BTV18  
Comchip Technology CO., LTD.  
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