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TTP118N08A

更新时间： 2024-04-09 18:59:54

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无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		栅
页数	文件大小	规格书
8页	790K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度，因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。同时由

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TTP118N08A 数据手册

TTB118N08A,TTP118N08A

Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.

TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

V_DS(Volts)

V_GS(Volts)

Figure 1: On-Region Characteristics

Figure 2: Transfer Characteristics

I_D(A)

V_DS(Volts)

Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current

Figure 4: Capacitance Characteristics

Q_g(nC)

V_SD(Volts)

Figure 5: Gate Charge Characteristics

Figure 6: Body Diode Forward Voltage

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TTP120N02GT	WUXI UNIGROUP	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T	获取价格
TTP120N03AT	WUXI UNIGROUP	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T	获取价格
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