Datasheet > TTP150N02GT

TTP150N02GT

更新时间： 2024-03-03 10:09:59

品牌	Logo	应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		栅
页数	文件大小	规格书
7页	594K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度，因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。同时由

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TTP150N02GT 数据手册

TTP150N02GT

Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.

20V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary)



General Description

Product Summary

 Trench Power technology

 Low R_DS(ON)

V_DS

20V

I_D(at V_GS=10V)

150A

 Low Gate Charge

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=4.5V)

R_DS(ON)(at V_GS=2.5V)

< 2.8mΩ

< 3.0mΩ

< 4.4mΩ

 Optimized for fast-switching applications

Applications

100% UIS Tested

 Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters

 Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial

TO-220

Part Number

Package Type

Form

Marking

TTP150N02GT

TO-220

Tube

150N02GT

Absolute Maximum Ratings (T_A=25ºC unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±20

T_C=25ºC

105

Continuous Drain Current

I_D

T_C=100ºC

Pulsed Drain Current

I_DM

I_AS

450

Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy

L =0.3mH

T_C=25ºC

E_AS

153.6

127

ºC

Power Dissipation

P_D

T_C=100ºC

63.6

Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics

Parameter

T_J, T_STG

-55 to 175

Symbol

R_ƟJC

Maximum

1.18

Units

Maximum Junction-to-Case

Steady-State

ºC /W

Maximum Junction-to-Ambient

R_ƟJA

100

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

12 3 4 5 6 7

下载PDF

与TTP150N02GT相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TTP160N03AT	WUXI UNIGROUP	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T	获取价格
TTP160N03GT	WUXI UNIGROUP	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T	获取价格
TTP180N02GT	WUXI UNIGROUP	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T	获取价格
TTP18P10AT	WUXI UNIGROUP	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T	获取价格
TTP19MC-20.000MHZ	MURATA	Oscillator,	获取价格
TTP19MC-8.000MHZ	MURATA	Oscillator,	获取价格