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TTP118N08A

更新时间： 2024-04-09 18:59:54

品牌	Logo	应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		栅
页数	文件大小	规格书
8页	790K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度，因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。同时由

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TTP118N08A 数据手册

TTB118N08A,TTP118N08A

Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.

TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

Temperature(ºC)

Figure 7: On-Resistance vs. Junction Temperature

Figure 8: Vgs(th) vs. Junction Temperature

Temperature(ºC)

V_GS(Volts)

Figure 9: BV_DSSvs. Junction Temperature

Figure 10: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage

Pulse Width (s)

V_DS(Volts)

Figure 11: Normalized Transient Thermal Resistance

Figure 12: Safe Operating Area

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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