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TTP120N03AT

更新时间： 2024-03-03 10:09:49

品牌	Logo	应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		栅
页数	文件大小	规格书
7页	606K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度，因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。同时由

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TTP120N03AT 数据手册

TTP120N03AT

Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.

30V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary)

General Description

Product Summary

VDS

30V

 Trench Power Technology

 Low R_DS(ON)

I_D(at V_GS=10V)

120A

< 3.4mΩ

< 4.7mΩ

 Low Gate Charge

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=4.5V)

 Optimized for fast-switching Applications

Applications

100% UIS Tested

 Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters

 Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial

TO-220

Device

Package

Form

Marking

120N03AT

TTP120N03AT

TO-220

Tube

Absolute Maximum Ratings T_C= 25ºC, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

±20

105

T_C= 25ºC

Continuous Drain Current

I_D

T_C= 100ºC

Pulsed Drain Current

I_DM

I_AS

480

Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy

L =0.3mH

E_AS

135

T_C= 25ºC

P_D

127

Power Dissipation

T_C= 100ºC

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 175

ºC

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Steady-State

R_ƟJC

R_ƟJA

1.24

100

ºC /W

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

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