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TTP105N08A

更新时间: 2024-04-09 19:00:12
品牌 Logo 应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP
页数 文件大小 规格书
8页 750K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由

TTP105N08A 数据手册

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TTB105N08A,TTP105N08A  
Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.  
TO-263(集佳)  
V1.0  
www.tsinghuaicwx.com  
6

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