Datasheet > TTP115N08A

TTP115N08A

更新时间： 2024-04-09 18:59:20

品牌	Logo	应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		栅
页数	文件大小	规格书
10页	805K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度，因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。同时由

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TTP115N08A 数据手册

TTB115N08A,TTP115N08A

Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.

85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary)

Product Summary

General Description

 Trench Power Technology

 Low R_DS(ON)

VDS

85V

I_D(at V_GS=10V)

115A

 Low Gate Charge

 Optimized for fast-switching Applications

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

< 7.5mΩ

Applications

100% UIS Tested

 Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters

 Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial

TO-263

TO-220

Device

Package

TO-263

TO-220

Form

Tape & Reel

Tube

Marking

115N08A

TTB115N08A

TTP115N08A

Absolute Maximum Ratings (T_A=25ºC unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

±20

105

T_C= 25ºC

Continuous Drain Current

I_D

T_C= 100ºC

Pulsed Drain Current

I_DM

I_AS

460

Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy

L =0.3mH

E_AS

390

T_C= 25ºC

200

100

Power Dissipation

P_D

T_C= 100ºC

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_SGT

-55 to 175

ºC

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Maximum

Units

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Steady-State

R_thJC

R_thJA

0.75

100

ºC /W

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

12 3 4 5 6 7...10

下载PDF

与TTP115N08A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TTP115N08AA	WUXI UNIGROUP	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T	获取价格
TTP115N68A	WUXI UNIGROUP	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T	获取价格
TTP117-AD8	TTELEC	TOUCH DIMMER FOR LED LIGHTING	获取价格
TTP117-BD8	TTELEC	TOUCH DIMMER FOR LED LIGHTING	获取价格
TTP117-CO8	TTELEC	TOUCH DIMMER FOR LED LIGHTING	获取价格
TTP117-DO8	TTELEC	TOUCH DIMMER FOR LED LIGHTING	获取价格