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| 生命周期： | Active | 包装说明： | DIP, DIP14,.3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.78 |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T14 | 逻辑集成电路类型： | NAND GATE |
| 最大I（ol）： | 0.02 A | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | 5 V |
| 最大电源电流（ICC）： | 36 mA | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 5 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 施密特触发器： | NO |
| 子类别： | Gates | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | TTL |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TT54S00FM | TI |
获取价格 |
NAND Gate, TTL, CDFP14 |
|
| TT54S04AFM | TI |
获取价格 |
Inverter, TTL, CDFP14 |
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| TT54S04FM | TI |
获取价格 |
Inverter, TTL, CDFP14 |
|
| TT550MOV | MDE |
获取价格 |
High Energy Thermally Protected TTxxxMOV VOLTAGE-150 to 690 Volts AC Integrated Transient |
|
| TT570N | EUPEC |
获取价格 |
Phase Control Thyristor Module |
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| TT570N08KOF | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|800V V(RRM)|570A I(T) |
|
| TT570N10KOF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 570000mA I(T), 1000V V(RRM) |
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| TT570N10KOF-A | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 570000mA I(T), 1000V V(RRM) |
|
| TT570N12KOF | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1.2KV V(RRM)|570A I(T) |
|
| TT570N12KOF-A | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 570000mA I(T), 1200V V(RRM) |
|
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