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TT570N08KOF

更新时间： 2024-02-19 16:52:34

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其他 - ETC		栅极可控硅
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THYRISTOR MODULE\|SCR DOUBLER\|800V V(RRM)\|570A I(T)

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TT570N08KOF 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	配置：	SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS
最大直流栅极触发电流：	250 mA	最大直流栅极触发电压：	2.2 V
快速连接描述：	2G-2GR	螺丝端子的描述：	A-K-AK
最大维持电流：	300 mA	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
最大漏电流：	140 mA	通态非重复峰值电流：	17000 A
元件数量：	2	端子数量：	7
最大通态电流：	570000 A	最高工作温度：	135 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	900 A
断态重复峰值电压：	800 V	重复峰值反向电压：	800 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

TT570N08KOF 数据手册

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT 570 N 08...14

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

V_DRM, V_RRM

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

800, 1000

1200, 1400

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

V_DSM

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

800, 1000

1200, 1400

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

V_RSM

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

900, 1100

1300, 1500

I_TRMSM

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS on-state current

900

T_C= 87°C

I_TAVM

Dauergrenzstrom

570

average on-state current

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

I_TSM

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

17000

14000

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

1445000

980000

A²s

DIN IEC 747-6

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

200

A/µs

f = 50Hz, i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

Kritische Spannungssteilheit

6. Kennbuchstabe / 6th letter F

critical rate of rise of off-state voltage

1000

V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1700A

v_T

Durchlaßspannung

on-state voltage

max. 1,53

0,9

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

r_T

Ersatzwiderstand

slope resistance

0,27

T_vj= 25°C, v_D= 6V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

Zündstrom

gate trigger current

max.

250

2,2

Zündspannung

gate trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

max. 0,25

T_vj= 25°C, v_D= 6V, R_A= 5W

Haltestrom

holding current

max.

300

µs

T_vj= 25°C, v_D= 6V, R_GK10W

i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs, t_G= 20µs

I_L

Einraststrom

latching current

max. 1500

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse currents

max.

140

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6

t_gd

Zündverzug

T_vj= 25°C, i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}, i_TM= 600A

t_q

Freiwerdezeit

v_RM= 100V, V_DM= 0,67 V_DRM

dv_D/dt = 20V/µs, -di_T/dt = 10A/µs

5. Kennbuchstabe / 5th letter O

circuit commutated turn-off time

typ.

250

µs

RMS, f = 50Hz, t = 1min

RMS, f = 50Hz, t = 1sec

V_ISOL

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

3,0

3,6

SZ-MA; R. Jörke

29. Jul 98

A 109/98

Seite/page 1(4)

12 3 4

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