Datasheet > TT240N34

TT240N34

更新时间： 2024-11-14 06:15:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
4页	38K
描述
Silicon Controlled Rectifier,

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TT240N34 数据手册

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor-Modu

Phase Control Thyristor Module

TT 240 N 28...36

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

V_DRM, V_RRM

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

2800, 3000

3200, 3400

3600

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

V_DSM

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

2800, 3000

3200, 3400

3600

non-repetitive peak forward off-state voltage

V_RSM

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

2900, 3100

3300, 3500

3700

non-repetitive peak reverse voltage

I_TRMSM

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS on-state current

700

T_C= 85°C

I_TAVM

Dauergrenzstrom

240

445

T_C= 19°C

average on-state current

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

I_TSM

Stoßstrom-Grenzwert

6100

5500

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

surge current

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

Grenzlastintegral

I²t

186000

151000

A²s

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

I²t-value

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

DIN IEC 747-6

Kritische Stromsteilheit

100

A/µs

f = 50Hz, i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs

critical rate of rise of on-state current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

Kritische Spannungssteilheit

6. Kennbuchstabe / 6th letter C

6. Kennbuchstabe / 6th letter F

critical rate of rise of off-state voltage

500

V/µs

1000

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1200A

v_T

Durchlaßspannung

on-state voltage

max. 3,43

1,17

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

r_T

Ersatzwiderstand

slope resistance

1,70

mΩ

T_vj= 25°C, v_D= 6V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

Zündstrom

max. 250

gate trigger current

Zündspannung

max.

1,5

gate trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

max.

0,2

T_vj= 25°C, v_D= 6V, R_A= 5Ω

Haltestrom

max. 300

max. 1500

max. 250

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 6V, R_GK≥ 10Ω

I_L

Einraststrom

i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs, t_G= 20µs

latching current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse currents

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

MOD-MA; R. Jörke

17. Feb 98

A 105/98

Seite/page 1(4)

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与TT240N34相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TT240N34KOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
TT240N34KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
TT240N36KOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
TT240N36KOF	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|SCR DOUBLER\|3.6KV V(RRM)\|445A I(T)
TT240N36KOF	INFINEON	获取价格	Thyristor/thyristor 60 mm Power?Block 3600 V, 240 A module?for phase control in?pressure c
TT240N36KOFHPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 700A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 2 Element, MODULE-
TT240N38KOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
TT240N38KOF	INFINEON	获取价格	Thyristor/Thyristor 60 mm Power?Block 3800 V, 240 A module?for phase control in?pressure c
TT240N38KOFHPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 700A I(T)RMS, 3800V V(DRM), 3800V V(RRM), 2 Element, MODULE-
TT24419000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block

与TT240N34相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

25
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

10
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

11
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TT240N34

TT240N34 数据手册

与TT240N34相关器件

与TT240N34相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TT240N34

TT240N34 数据手册

与TT240N34相关器件

与TT240N34相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？