Datasheet > TT250N14KOF-K

TT250N14KOF-K

更新时间： 2024-11-14 09:30:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
13页	414K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 Element, MODULE-7

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TT250N14KOF-K 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT250N

Phase Control Thyristor Module

TT250N

TD250N

DT250N

TT250N...-K

TD250N...-A

TD250N...-K

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1200

1600

1400 V

V_DRM,V_RRM

1800 V

1200

1600

1400 V

1800 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

1300

1700

1500 V

1900 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

410 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

250 A

261 A

T_C= 85°C

T_C= 82°C

8000 A

7000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

320000 A²s

245000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

1,5 V

0,8 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 800 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

V_(TO)

r_T

0,7 mΩ

200 mA

2 V

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

0,2 V

max.

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

max.

300 mA

I_L

max. 1200 mA

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

50 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

C.Drilling

date of publication: 23.09.02

prepared by:

revision:

approved by: J. Novotny

BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling

A4 /85

1/12

Seite/page

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与TT250N14KOF-K相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TT250N16KOF	EUPEC	获取价格	Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TT250N16KOF	INFINEON	获取价格	Thristor/Thyristor 50 mm Power Block 1600 V,
TT250N16KOF TIM	INFINEON	获取价格	TIM
TT250N16KOF-K	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
TT250N18KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 2 E
TT250N18KOF-K	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
TT25-1	MINI	获取价格	RF Transformer
TT25-1+	MINI	获取价格	RF Transformer
TT25-1-KK81	MINI	获取价格	RF Transformer, 0.02MHz Min, 30MHz Max, 1:5
TT25-1-KK81+	MINI	获取价格	RF Transformer

与TT250N14KOF-K相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

26
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

10
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

11
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TT250N14KOF-K

TT250N14KOF-K 数据手册

与TT250N14KOF-K相关器件

与TT250N14KOF-K相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TT250N14KOF-K

TT250N14KOF-K 数据手册

与TT250N14KOF-K相关器件

与TT250N14KOF-K相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？