TSUS5200

更新时间： 2024-11-18 05:55:27

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威世 - VISHAY		半导体红外LED 光电二极管
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7页	120K
描述
Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs

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TSUS5200 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.40.20.00
Factory Lead Time：	18 weeks	风险等级：	0.71
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
最大正向电流：	0.15 A	最大正向电压：	1.7 V
JESD-609代码：	e2	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：	1	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-55 °C	光电设备类型：	INFRARED LED
标称输出功率：	13 mW	峰值波长：	950 nm
最大反向电压：	5 V	半导体材料：	GaAs
形状：	ROUND	尺寸：	5 mm
光谱带宽：	5e-8 m	子类别：	Infrared LEDs
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)
Base Number Matches：	1

TSUS5200 数据手册

TSUS520.

Vishay Semiconductors

Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs

Description

TSUS520. series are infrared emitting diodes in stan-

dard GaAs on GaAs technology, molded in a clear,

blue-grey tinted plastic package. The devices are

spectrally matched to silicon photodiodes and pho-

totransistors.

94 8389

Features

Applications

• Low cost emitter

• Infrared remote control and free air transmission

systems with low forward voltage and low cost

requirements in combination with PIN photodiodes

or phototransistors.

• Low forward voltage

• High radiant power and radiant intensity

• Suitable for DC and high pulse current

operation

• Standard T-1¾ (∅ 5 mm) package

• Angle of half intensity ϕ = 15°

• Peak wavelength λ = 950 nm

• High reliability

• Good spectral matching to Si photodetectors

• Lead (Pb)-free component

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

Absolute Maximum Ratings

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Reverse voltage

Test condition

Symbol

V_R

Value

Unit

Forward current

I_F

I_FM

I_FSM

P_V

150

300

Peak forward current

Surge forward current

Power dissipation

t_p/T = 0.5, t_p= 100 µs

t_p= 100 µs

2.5

210

°C

Junction temperature

Operating temperature range

Storage temperature range

Soldering temperature

T_j

100

T_amb

T_stg

T_sd

- 55 to + 100

260

°C

t ≤ 5 sec, 2 mm from case

°C

Thermal resistance junction/

ambient

R_thJA

375

K/W

Document Number 81055

Rev. 2.0, 23-Feb-07

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TSUS5200_09	VISHAY	获取价格	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs
TSUS5200-ASZ	VISHAY	获取价格	Infrared LED, LAMP,IRED,950NM PEAK WAVELENGTH,LED-2B
TSUS5200-ES12	VISHAY	获取价格	Infrared LED, LAMP,IRED,950NM PEAK WAVELENGTH,LED-2B
TSUS5200-ESZ	VISHAY	获取价格	Infrared LED, LAMP,IRED,950NM PEAK WAVELENGTH,LED-2B
TSUS5200-FSZ	VISHAY	获取价格	Infrared LED, LAMP,IRED,950NM PEAK WAVELENGTH,LED-2B
TSUS5200-MS21	VISHAY	获取价格	Infrared LED, LAMP,IRED,950NM PEAK WAVELENGTH,LED-2B
TSUS5200-MSZ	VISHAY	获取价格	Infrared LED, LAMP,IRED,950NM PEAK WAVELENGTH,LED-2B
TSUS5201	VISHAY	获取价格	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs
TSUS5201	TEMIC	获取价格	Infrared LED, 5mm, 1-Element, 950nm,
TSUS5201-AS12	VISHAY	获取价格	Infrared LED, 950nm

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