TSUS5400

更新时间： 2024-11-20 22:19:07

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威世 - VISHAY		半导体红外LED 光电二极管
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6页	125K
描述
GaAs Infrared Emitting Diodes in ? 5 mm (T?1) Package

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TSUS5400 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	GREEN, PLASTIC, T-1 3/4 PACKAGE-2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.40.20.00
Factory Lead Time：	18 weeks	风险等级：	0.92
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
最大正向电流：	0.15 A	JESD-609代码：	e2
功能数量：	1	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-55 °C	光电设备类型：	INFRARED LED
标称输出功率：	13 mW	峰值波长：	950 nm
形状：	ROUND	尺寸：	5 mm
端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)

TSUS5400 数据手册

TSUS540.

Vishay Telefunken

GaAs Infrared Emitting Diodes in ø 5 mm (T–1 )

Package

Description

94 8390

TSUS540. series are infrared emitting diodes in stan-

dard GaAs on GaAs technology, molded in a clear,

blue–grey tinted plastic package. The devices are

spectrally matched to silicon photodiodes and photo-

transistors.

Features

Low cost emitter

Low forward voltage

High radiant power and radiant intensity

Suitable for DC and high pulse current operation

Standard T–1 (ø 5 mm) package

Comfortable angle of half intensity ϕ = ± 22

Peak wavelength = 950 nm

High reliability

Good spectral matching to Si photodetectors

Applications

Infrared remote control and free air transmission systems with low forward voltage and comfortable radiation

angle requirements in combination with PIN photodiodes or phototransistors.

Absolute Maximum Ratings

amb

= 25 C

Parameter

Reverse Voltage

Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Forward Current

150

300

2.5

210

K/W

Peak Forward Current

Surge Forward Current

Power Dissipation

Junction Temperature

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

Soldering Temperature

Thermal Resistance Junction/Ambient

t /T = 0.5, t = 100 s

t = 100 s

FSM

100

–55...+100

260

amb

stg

5sec, 2 mm from case

375

thJA

Document Number 81056

Rev. 2, 20-May-99

www.vishay.com

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