Datasheet > TSP15N06A

TSP15N06A

更新时间： 2024-04-09 19:03:19

品牌	Logo	应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		电子栅
页数	文件大小	规格书
7页	497K
描述
通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和完美的结构设计，紫光微电子的MOSFET实现功率密度最大化，从而大幅度降低电流传导过程中的导通功率损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定，其有效

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TSP15N06A 数据手册

TSP15N06A

Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd.

Typical Characteristics T_J= 25ºC, unless otherwise noted

2.5

1.2

1.1

V_GS= 10V

I_D= 50A

I_D= 250µA

1.5

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

-50 -25

75 100 125 150

-100

-50

100

150

200

Temperature(ºC)

Figure 7: On-Resistance vs. Junction Temperature

Temperature(ºC)

Figure 8: Vgs(th) vs. Junction Temperature

10³

10¹

10²

10¹

10⁰

10^-1

10⁰

D = 0.5

D = 0.3

D = 0.1

10^-1

10^-2

t_p= 10us

t_p= 100us

t_p= 1ms

t_p= 10ms

D = 0.05

D = 0.02

D = 0.01

Single Pulse

10^-3

10^-5

10^-2

10^-3

10^-210^-110⁰

10¹

10²

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

10²

10^-4

Pulse Width (s)

V_DS(Volts)

Figure 10: Safe Operating Area

Figure 9: Normalized Transient Thermal Resistance

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

1 2 345 6 7

下载PDF

与TSP15N06A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TSP15N08A	WUXI UNIGROUP	通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和完美的结构设计，紫光微电子的MOSFET实现功率密度最大	获取价格
TSP15U50S	TSC	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	获取价格
TSP160A	PANJIT	AXIAL LEAD BI-DIRECTIONAL THYRISTOR SURGE PROTECTOR DEVICE	获取价格
TSP160B	PANJIT	AXIAL LEAD BI-DIRECTIONAL THYRISTOR SURGE PROTECTOR DEVICE	获取价格
TSP160SA	PANJIT	SURFACE MOUNT BI-DIRECTIONAL THYRISTOR SURGE PROTECTOR DEVICE	获取价格
TSP160SB	PANJIT	SURFACE MOUNT BI-DIRECTIONAL THYRISTOR SURGE PROTECTOR DEVICE	获取价格