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TSP15N06A

更新时间： 2024-04-09 19:03:19

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无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		电子栅
页数	文件大小	规格书
7页	497K
描述
通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和完美的结构设计，紫光微电子的MOSFET实现功率密度最大化，从而大幅度降低电流传导过程中的导通功率损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定，其有效

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TSP15N06A 数据手册

TSP15N06A

Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd.

Typical Characteristics T_J= 25ºC, unless otherwise noted

200

160

120

100

10V

V_DS= 10V

T_J= 25ºC

4.5V

V_DS(Volts)

V_GS(Volts)

Figure 1: On-Region Characteristics

Figure 2: Transfer Characteristics

10⁵

10⁴

3.5

V_GS= 10V

T_J= 25ºC

C_iss

C_oss

C_rss

10³

2.5

10²

10¹

1.5

V_GS= 0

f = 1MHz

100

150

200

I_D(A)

V_DS(Volts)

Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current

Figure 4: Capacitance Characteristics

10³

10²

10¹

10⁰

10^-1

T_J= 25ºC

V_DD= 30V

80 100 120 140 160

-1.55E-15 0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

Q_g(nC)

Figure 5: Gate Charge Characteristics

V_SD(Volts)

Figure 6: Body Diode Forward Voltage

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

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