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TSP15N06A

更新时间: 2024-04-09 19:03:19
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无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP 电子
页数 文件大小 规格书
7页 497K
描述
通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和完美的结构设计, 紫光微电子的MOSFET实现功率密度最大化, 从而大幅度降低电流传导过程中的导通功率损耗。 同时, 电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定,其有效

TSP15N06A 数据手册

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TSP15N06A  
Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd.  
Figure AGate Charge Test Circuit and Waveform  
Figure BResistive Switching Test Circuit and Waveform  
Figure CUnclamped Inductive Switching Test Circuit and Waveform  
V1.0  
www.tsinghuaicwx.com  
5

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