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TSMG2700-GS08

更新时间： 2024-01-12 23:14:48

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		半导体
页数	文件大小	规格书
8页	126K
描述
Infrared LED, 830nm

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技术参数
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TSMG2700-GS08 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大正向电流：	0.1 A	最大正向电压：	1.8 V
JESD-609代码：	e3	安装特点：	SURFACE MOUNT
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
峰值波长：	830 nm	最大反向电压：	5 V
半导体材料：	GaAlAs	光谱带宽：	4e-8 m
子类别：	Infrared LEDs	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	视角：	120 deg
Base Number Matches：	1

TSMG2700-GS08 数据手册

TSMG2700

Vishay Semiconductors

GaAlAs DH Infrared Emitting Diode in SMT Package

Description

TSMG2700 is a high speed infrared emitting diode in

GaAlAs double hetero (DH) technology in a miniature

PLCC-2 SMD package.

DH technology combines high speed with high radiant

power at wavelength of 830 nm.

94 8553

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

Features

• High radiant power

• High speed

Applications

• Infrared flash source for CMOS cameras

• High speed IR data transmission

• High modulation band width

• Peak wavelength: λ = 830 nm

• High reliability

• Low forward voltage

• Suitable for high pulse current application

• Wide angle of half intensity

• Compatible with automatic placement equipment

• EIA and ICE standard package

• Suitable for infrared, vapor phase and wavesolder

process

• 8 mm tape and reel standard: GS08

• Lead (Pb)-free component

Order Instructions

Part

Ordering code

TSMG2700-GS08

Remarks

TSMG2700

MOQ: 7500 pcs, 1500 pcs per reel

Absolute Maximum Ratings

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Reverse voltage

Test condition

Symbol

V_R

Value

Unit

Forward current

I_F

I_FM

I_FSM

P_V

100

200

Peak forward current

Surge forward current

Power dissipation

t_p/T = 0.5, t_p= 100 µs

t_p= 100 µs

170

°C

Junction temperature

Operating temperature range

T_j

100

T_amb

- 40 to + 85

°C

Document Number 81107

Rev. 1.4, 28-Nov-06

www.vishay.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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