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TSB8.2C

更新时间: 2024-11-21 17:23:23
品牌 Logo 应用领域
SURGE 可编程只读存储器局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,

TSB8.2C 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.84
最大击穿电压:9.02 V最小击穿电压:7.38 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-214AA
JESD-30 代码:R-PDSO-C2最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:BIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:C BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

TSB8.2C 数据手册

  

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