5秒后页面跳转
TSB75C PDF预览

TSB75C

更新时间: 2024-11-18 17:23:23
品牌 Logo 应用领域
SURGE 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,

TSB75C 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.84
Is Samacsys:N最大击穿电压:82.5 V
最小击穿电压:67.5 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AAJESD-30 代码:R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:BIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

TSB75C 数据手册

  

与TSB75C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TSB75T060SS-255A YANGJIE

获取价格

TSB75T060SS-255A
TSB75T080SS-255A YANGJIE

获取价格

TSB75T080SS-255A
TSB75T100SS-255A YANGJIE

获取价格

TSB75T100SS-255A
TSB75T100SS-255B YANGJIE

获取价格

TSB75T100SS-255B
TSB772 TSC

获取价格

Low Vce(sat) PNP Transistor
TSB772_07 TSC

获取价格

Low Vcesat PNP Transistor
TSB772_11 TSC

获取价格

Low Vcesat PNP Transistor
TSB772_13 TSC

获取价格

Low Vcesat PNP Transistor
TSB772CK TSC

获取价格

Low Vce(sat) PNP Transistor
TSB772CKB0 TSC

获取价格

Low Vcesat PNP Transistor